BaGa2GeSe6 Crystals


  • Nafaqada kiimikada:BaGa2GeSe6
  • Isku-dhafka aan tooska ahayn:d11=66
  • Heerka waxyeelada:110 MW/cm2
  • Kala duwanaanshaha daahfurnaanta:0.5 ilaa 18 μm
  • Faahfaahinta Alaabta

    Guryaha aasaasiga ah

    Crystal BaGa2GeSe6 waxay leedahay marin sare oo waxyeelo indhaha ah (110 MW/cm2), kala duwanaansho daah-furnaan ballaaran (laga bilaabo 0.5 ilaa 18 μm) iyo mid aan toos ahayn (d11 = 66 ± 15 pm / V), taas oo ka dhigaysa crystal-kan mid soo jiidasho leh isu beddelka inta jeer ee shucaaca laysarka u beddelo (ama gudaha) xadka IR-dhexe.Waxaa la caddeeyey malaha crystal-ka ugu waxtarka badan jiilka labaad ee isku-dhafan ee CO-iyo CO2-laser-ka.Waxaa la ogaaday in beddelka soo noqnoqda ee laba-marxalad-ballaadhan ah ee shucaaca-laser-lineCO-laser-ka-badan ee crystal-kan ay suurtogal tahay gudaha 2.5-9.0 μm dhererka dhererka dhererka oo leh waxtarka sare marka loo eego ZnGeP2 iyo AgGaSe2 crystals.
    Kiristaalo BaGa2GeSe6 waxa loo istcimaalaa beddelka soo noqnoqda indhaha ee aan toos ahayn ee kala duwanaanshahooda hufnaanta.Mawjadaha dhererka ee waxtarka beddelka ee ugu sarreeya laga heli karo iyo cabbirka hagaajinta ee jiilka soo noqnoqda ayaa la helay.Waxaa la muujiyay in ay jiraan isku-darka hirarka dhererka kaas oo isku-dhafka aan tooska ahayn ee wax ku oolka ah uu ku kala duwan yahay oo kaliya in yar oo xajmiyeed oo ballaaran.

    BaGa2GeSe6 kristal ee isla'egyada iibinta:
    21

    Is barbar dhig ZnGeP2, GaSe, iyo AgGaSe2 crystals, xogta guryaha ayaa muujisay sida soo socota:

    Guryaha aasaasiga ah

    Crystal d,pm/V I, MW/cm2
    AgGaSe2 d36=33 20
    GaSe d22=54 30
    BaGa2GeSе6 d11=66 110
    ZnGeP2 d36=75 78